RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
28
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3607
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link