RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
21.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
23.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
21.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
4565
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link