RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
21.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
23.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
21.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
4565
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link