RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2858
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link