RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
139
Около 76% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
139
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
14.4
Скорость записи, Гб/сек
5.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
1152
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link