RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
104
Около -197% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2822
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link