RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link