RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
62
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3401
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link