RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
65
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3116
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link