RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
65
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
1,592.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
33
Velocità di lettura, GB/s
3,580.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,592.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
572
3116
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link