RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2382
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link