RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3580
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link