RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
75
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
75
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link