RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
75
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
75
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1735
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link