RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3039
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link