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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3039
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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