RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link