RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
64
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
64
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2067
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link