RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
64
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
64
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2067
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8KTF25664AZ-1G6M1 2GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link