RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8,883.4
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
44
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
24
Prędkość odczytu, GB/s
14,740.4
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
8,883.4
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2811
2256
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link