RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
44
En -83% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
24
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2256
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link