RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2704
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.4010C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link