RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2112
2704
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link