RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
122
Wokół strony 77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
122
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1411
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link