RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2387
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link