RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
74
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
66
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2122
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link