RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link