RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
37
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
37
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2848
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link