RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2658
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link