RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link