RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2825
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link