RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3650
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link