Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 39
    Wokół strony 28% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.1 left arrow 12.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.6 left arrow 9.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 12800
    Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 39
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.4 left arrow 15.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 12.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2329 left arrow 3000
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania