RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
39
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3000
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link