RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link