RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link