RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link