RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link