RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link