RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2208
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link