RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
24
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3244
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link