RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3244
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link