RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 38
    Около 37% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 14.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 10.3
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 14.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 10.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2148

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
модули RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
модули RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
модули RAM
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
модули RAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
модули RAM