Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

24 38

Por volta de 37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16 14.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.5 10.3

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Maior largura de banda de memória, mbps

21300 19200

Por volta de 1.11 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2925 2148

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns