Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 38

Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16 14.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.5 10.3

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 19200

Autour de 1.11 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2925 2148

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns