RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2333
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link