RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3156
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link