RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3156
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link