RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
総合得点
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
28
周辺 -22% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
12.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.7
9.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
23
読み出し速度、GB/s
12.4
17.0
書き込み速度、GB/秒
9.6
14.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2329
3156
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link