RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2191
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link