RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3803
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link