RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
69
Autour de -176% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3803
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link