RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
57
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
57
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2233
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link