RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3364
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link